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J-GLOBAL ID：200903057778328795

非単結晶炭化シリコン

Inventor： 阿閉 忠司 ,  徳永 博之
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994144719
Publication number (International publication number)：1996018079
Application date： Jun. 27, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 光学バンドギャップが大きく、良好な光電特性を示す半導体薄膜材料を得る。【構成】 少なくともSi原子とC原子とH原子を含み、光学的禁制帯幅が2.5eV以上の非単結晶炭化シリコンであって、この非単結晶炭化シリコンをSi1-x Cx と表した場合のSi原子とC原子の組成比xが0.4以上の非単結晶炭化シリコンにおいて、結合配位数が2である元素を、5×1019cm-3以上、1×1022cm-3以下含む。

Claim (excerpt)：

少なくともSi原子とC原子とH原子を含み、光学的禁制帯幅が2.5eV以上の非単結晶炭化シリコンであって、この非単結晶炭化シリコンをSi1-x Cx と表した場合のSi原子とC原子の組成比xが0.4以上の非単結晶炭化シリコンにおいて、結合配位数が2である元素を、5×1019cm-3以上、1×1022cm-3以下含むことを特徴とする非単結晶炭化シリコン。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/314

FI (2)：

H01L 31/04 V ,  H01L 31/04 B