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J-GLOBAL ID:200903057782935078
磁気抵抗効果素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴木 章夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995269129
Publication number (International publication number):1997092907
Application date: Sep. 23, 1995
Publication date: Apr. 04, 1997
Summary:
【要約】【課題】 スピンバルブ型の磁気抵抗効果素子における静磁界と電流磁界とを相殺することができず、バルクハウゼンノイズが発生する。【解決手段】 第1の強磁性層1、導電性の中間層2、第2の強磁性層3、この第2の強磁性層3の磁化を固定するための反強磁性層4を備え、スピンバルブ効果を用いた磁気抵抗効果素子を構成し、かつ第2の強磁性層3の磁化が印加磁界の方向と45度の角度をなし、第1の強磁性層1の磁化が第2の強磁性層3の磁化と90度の角度をなすようにする。静磁界と電流磁界とを逆方向の磁界として相殺させることで、線形応答を得るとともに、バルクハウゼンノイズを防止する。
Claim (excerpt):
第1の強磁性層、導電性の中間層、第2の強磁性層、この第2の強磁性層の磁化を固定する手段を備え、スピンバルブ効果を用いた磁気抵抗効果素子であって、前記第2の強磁性層の磁化が印加磁界の方向と45度の角度をなし、前記第1の強磁性層の磁化が前記第2の強磁性層の磁化と90度の角度をなしていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3):
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
FI (3):
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G01R 33/06 R
Patent cited by the Patent:
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