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J-GLOBAL ID：200903057784374294

窒化物半導体基板及びその製造方法

Inventor： 蝶々 一幸 ,  前川 仁志 ,  木内 章喜
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000212926
Publication number (International publication number)：2002033282
Application date： Jul. 13, 2000
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 結晶欠陥の少ない窒化物半導体基板を提供すること。【解決手段】 第1窒化物半導体層16は、第1保護膜14を用いてELOG成長によって形成されている。このため、欠陥密度は、第1保護膜14の開口部上において高く、第1保護膜14上において低くなる。第1保護膜の中央部15は、左右から横方向に成長してきた第1窒化物半導体26が互いに接合するため、欠陥密度が高くなる。2回目のELOG成長を行うための第2保護膜18を、第1保護膜14のストライプ中央部15と第1保護膜14の開口部とを覆うように形成する。これにより、第1窒化物半導体層26内を貫通して進行する転位を第2保護膜18によって遮断して、第2窒化物半導体層20の転位密度を、第1窒化物半導体層26よりも一層低くすることができる。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体と異なる異種基板の上に、周期的なストライプ状に形成された第1の保護膜と、前記第1の保護膜を覆って、基板全面に形成された第1窒化物半導体層と、前記第1窒化物半導体層上に、前記第1の保護膜のストライプ中央部分と前記第1の保護膜のない部分とを隠すように形成された第2の保護膜と、前記第2の保護膜を覆って、基板全面に形成された第2窒化物半導体層とを有する窒化物半導体基板。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 C

F-Term (33)：

4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF14 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045HA12