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J-GLOBAL ID：200903057789803576

AlGaInP系発光装置

Inventor： 安富 敬三 ,  能登 宣彦 ,  竹中 卓夫
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 志波 邦男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993154169
Publication number (International publication number)：1994342936
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 長時間通電発光使用しても発光特性等に劣化を生じない長寿命且つ信頼性の高いAlGaInP系発光装置を提供する。【構成】 第1導電型GaAs基板上にAlGaInPダブルヘテロ接合構造層又はAlGaInPシングルヘテロ接合構造層からなる発光層部を形成し、該発光層部上に、該発光層部の活性層より放射される光子のエネルギーより大きいエネルギーギャップを有し、且つ前記発光層部を構成する(Al<SB>B</SB>Ga<SB>1-B</SB>)<SB>0.51</SB>In<SB>0.49</SB>P混晶と格子整合する第2導電型Al<SB>w</SB>Ga<SB>1-w</SB>As<SB>1-v</SB>P<SB>v</SB>混晶(例えば、Al<SB>0.7</SB>Ga<SB>0.3</SB>As<SB>0.97</SB>P<SB>0.03</SB>)を電流拡散層として形成する。但し、w及びvはそれぞれ0.45≦w<1、0<v≦0.08である。

Claim (excerpt)：

第1導電型GaAs基板上に、AlGaInPダブルヘテロ接合構造層又はAlGaInPシングルヘテロ接合構造層からなる発光層部が形成されたAlGaInP系発光装置において、前記発光層部上に、該発光層部の活性層から放射される光子のエネルギーよりも大きいエネルギーギャップを有する第2導電型AlwGa1-wAs1-vPv混晶電流拡散層を備えたことを特徴とするAlGaInP系発光装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-280694
  
• 特開平4-212479
  
• 特開平3-227077
  
• 特開平2-098984