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J-GLOBAL ID：200903057813658655

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 中村 弘幸
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996021467
Publication number (International publication number)：1997213800
Application date： Feb. 07, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 プロセスを複雑にすることなく、十分な応力緩和効果を持った層間絶縁膜が得られる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 アルミニウム膜21を形成した後、その上に圧縮応力を有するプラズマシリコン酸化膜19からなるマスク材パターン23を形成する。そして、このマスク材パターン23を用いてアルミニウム膜21をエッチングすることによりアルミニウム配線18を形成する。次に、マスク材パターン23を残した状態で引張応力を有するO3 -TEOS酸化膜20を形成することによりアルミニウム配線18とマスク材パターン23を埋め込む埋込層24を形成する。最後に埋込層24の表面をCMP法により平坦化する。

Claim (excerpt)：

配線の直上に圧縮応力または引張応力のいずれかの応力を有する第1の絶縁膜が形成され、これら配線および第1の絶縁膜が前記応力と反対の応力を有する第2の絶縁膜で埋め込まれたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/95

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭59-025245