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J-GLOBAL ID：200903057814059356

半導体装置の検査方法

Inventor： 篠原 衛
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999234659
Publication number (International publication number)：2001056310
Application date： Aug. 20, 1999
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の表面の絶縁膜に発生したクラックの発見を確実に効率良く行う半導体装置の検査方法を提供する。【解決手段】表面を絶縁膜3が被覆しており、絶縁膜3の下層に導電膜2が形成されている半導体装置の絶縁膜3におけるクラックの有無を検査する半導体装置の検査方法であって、絶縁膜3に導電性溶液80を接触させ、次に、導電性溶液80に電極81を接触させ、導電性溶液80を通して電極81と導電膜2の間に流れる電流などの電極81に伝わる電気信号を検知する。

Claim (excerpt)：

表面を絶縁膜が被覆しており、前記絶縁膜の下層に導電膜が形成されている半導体装置の前記絶縁膜におけるクラックの有無を検査する半導体装置の検査方法であって、前記絶縁膜に導電性溶液を接触させる工程と、前記導電性溶液に電極を接触させ、前記導電性溶液を通して前記電極に伝わる電気信号を検知する工程とを有する半導体装置の検査方法。

IPC (3)：

G01N 27/20 ,  A61B 5/117 ,  H01L 21/66

FI (3)：

G01N 27/20 Z ,  H01L 21/66 K ,  A61B 5/10 322

F-Term (26)：

2G060AA06 ,  2G060AE04 ,  2G060AF10 ,  2G060AG11 ,  2G060EB05 ,  2G060EB08 ,  2G060HA01 ,  2G060HC07 ,  2G060HC10 ,  2G060HD01 ,  2G060HE01 ,  2G060JA05 ,  2G060KA12 ,  4C038FF05 ,  4C038FG04 ,  4C038VA07 ,  4C038VB13 ,  4C038VC20 ,  4M106AA04 ,  4M106AA11 ,  4M106AA12 ,  4M106BA14 ,  4M106BA20 ,  4M106CA46 ,  4M106DH16 ,  4M106DJ14