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J-GLOBAL ID：200903057814923816

微細パターン形成方法、微細パターン形成用材料、およびこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法

Inventor： 豊島 利之 ,  保田 直紀 ,  石橋 健夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000184815
Publication number (International publication number)：2002006512
Application date： Jun. 20, 2000
Publication date： Jan. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 従来のパターンサイズの縮小を適用したリソグラフィ技術では、通常のフォトリソグラフィ技術の解像限界を越える微細パターン形成ができるが、形成時のレジスト膜厚も減少し、後工程のドライエッチングで十分な耐エッチング性が確保できない。【解決手段】 酸成分を含む第1の上層膜でレジストパターンを覆い、さらにその上に塩基成分を含む第2の上層膜を形成した後、熱処理により酸成分を第1のレジストパターン中に、塩基成分を第1の上層膜中にそれぞれ拡散して、レジストパターン中に溶解化層を形成しつつ第1の上層膜と第2の上層膜の界面近傍で酸成分を塩基成分により中和させて、溶解化層を除去してパターン幅を縮小する。

Claim (excerpt)：

被エッチング層上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に所定の第1のレジストパターンを形成する工程と、前記レジスト膜を溶解化させる酸成分を含む第1の上層膜を、前記第1のレジストパターンの上面および側面を被覆するように形成する工程と、塩基成分を含む第2の上層膜を前記第1の上層膜上に形成する工程と、加熱処理によって前記第1の上層膜中の酸成分を前記第1のレジストパターンの側面に、前記第2の上層膜中の塩基成分を前記第1の上層膜中にそれぞれ拡散させることにより、前記第1のレジストパターンの側面に溶解化層を形成する工程と、前記第2の上層膜、前記第1の上層膜および前記溶解化層を除去することにより前記第1のレジストパターンに比してパターン幅が縮小した第2のレジストパターンを形成する工程と、を含んでなる微細パターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570

F-Term (14)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096EA14 ,  2H096HA01 ,  2H096JA04 ,  2H096KA02 ,  5F046JA22 ,  5F046LA14 ,  5F046LA18 ,  5F046LA19