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J-GLOBAL ID：200903057821073895

半導体製造装置用の窒化アルミニウム基材及びその製造方法

Inventor： 豊田 誠司 ,  黒光 祥郎 ,  菅村 邦夫
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996141276
Publication number (International publication number)：1997328382
Application date： Jun. 04, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 熱伝導率が高く、熱衝撃に対して耐久性に優れ、かつ耐食性、特にフッ素系ガスに対して耐食性が良好な窒化アルミニウム基材を得る。【解決手段】 半導体製造装置用の窒化アルミニウム基材10,20は、窒化アルミニウム焼結体11と、この焼結体11の表面に焼結体を酸化して形成された酸化層12と、この酸化層12の表面に形成された金属フッ化物層14とにより構成される。

Claim (excerpt)：

半導体製造装置用の窒化アルミニウム基材において、窒化アルミニウム焼結体(11)と、前記焼結体(11)の表面に前記焼結体を酸化して形成された酸化層(12)と、前記酸化層(12)の表面に形成された金属フッ化物層(14)とにより構成されたことを特徴とする半導体製造装置用の窒化アルミニウム基材。