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J-GLOBAL ID：200903057823194746

金属基板上への中間挿入層の作製方法

Inventor： 一瀬 中 ,  秋田 調 ,  太刀川 恭治 ,  菊池 章弘
Applicant, Patent owner： 財団法人電力中央研究所 ,  学校法人東海大学
Agent (1)： 村瀬 一美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997268918
Publication number (International publication number)：1999111079
Application date： Oct. 01, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 金属基板と超電導膜との間に多層膜を作製する必要が無く、しかも水素を使用せずに製造できるようにする。【解決手段】 2軸配向した金属基板上に、酸化物がC型希土構造を有する希土類金属を蒸発させ酸素と反応させて2軸配向した希土類金属酸化物を蒸着させることにより中間挿入層を作製する。また、希土類金属の蒸着は例えば電子ビームにより希土類金属を蒸発させて行うと共に、この蒸発は、金属基板の表面温度は450°C以上かつ希土類金属酸化物の溶融温度または金属基板の溶融温度の低い方の温度以下の温度範囲中で、尚かつ雰囲気の全圧が1×10-6torrを超えて1×10-3torr以下の範囲中で、希土類金属は酸化するのに対し金属基板は酸化しない温度及び酸素分圧の範囲中で行う。

Claim (excerpt)：

2軸配向した金属基板上に、酸化物がC型希土構造を有する希土類金属を蒸発させ酸素と反応させて2軸配向した希土類金属酸化物を蒸着させることにより中間挿入層を作製することを特徴とする金属基板上への中間挿入層の作製方法。

IPC (5)：

H01B 12/06 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (5)：

H01B 12/06 ZAA ,  C30B 29/22 501 K ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/02 ZAA B ,  H01L 39/24 ZAA B