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J-GLOBAL ID：200903057823621768

結晶化方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： オン・ズ・ゾ ,  ゼ・ソン・ロ
Applicant, Patent owner： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995194023
Publication number (International publication number)：1996102543
Application date： Jul. 07, 1995
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 結晶粒度と結晶粒界の位置を調節できる結晶化方法を提供すること。【構成】 本発明の結晶化方法は、半導体基板上に多結晶シリコン膜を蒸着する工程と、多結晶シリコン膜を第1領域と第2領域に分ける工程と、多結晶シリコン膜の第1領域と第2領域に互いに異なる量のシリコンイオンを注入して、第2領域に所定の面方向を有する結晶を残し第1領域は非晶質化する工程と、熱処理工程により第1領域に残っている結晶を核にして、非晶質化された第2領域を再結晶化させる工程とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に多結晶シリコン膜を蒸着する工程と、多結晶シリコン膜を第1領域と第2領域に分ける工程と、多結晶シリコン膜の第1領域と第2領域に互いに異なる量のシリコンイオンを注入して、第2領域に所定の面方向を有する結晶を残し第1領域を非晶質化する工程と、熱処理工程により第1領域に残っている結晶を核にして、非晶質化された第2領域を再結晶化させる工程と、を含むことを特徴とする結晶化方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-288328
  
• ポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-172058   Applicant：カシオ計算機株式会社