Pat
J-GLOBAL ID：200903057825378003
原子層エピタキシー装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993184091
Publication number (International publication number)：1994224138
Application date： Jul. 26, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：
【要約】【目的】 原子層毎にあるいは分子層毎に高純度材料のエピタキシャル成長を行うためのシステムと方法とを得る。【構成】 約10-9Torrよりも低い圧力に排気された真空処理室中に基板が配置され、前記基板から離れた前記処理室中の領域における圧力を約10-9Torrよりも低い値に保ちつつ、予め定められた量の複数の予め定められた前駆物質ガスが処理室中の前記基板に近接した場所から前記処理室中へ注入されて、前記基板の表面に原子層または分子層を形成する。前駆物質ガスは、その中に予め定められた圧力で収容された前駆物質ガスを含んでいる複数個のタンクから、前記タンク中の圧力を保ちつつ、前記タンクの予め定められたものを前記処理室へ向けて予め定められた時間だけ開くことによって供給される。予め定められた量の前駆物質ガスを主として基板へ向けて供給するために添加量を制限する構造が設けられている。
Claim (excerpt)：
基板上へ単原子層または単分子層を形成する方法であって:(a)排気された処理室中へ基板を配置すること、(b)前記処理室を約10-9Torrより低い圧力に排気すること、および(c)前記基板から離れた前記処理室の領域における圧力を低いままに保ちながら、前記処理室中へ予め定められた量の予め定められた複数の前駆物質ガスを、前記処理室中の前記基板に近い場所から注入して、前記基板の表面に前記単原子層または単分子層を形成すること、の工程を含む方法。
IPC (4)：
H01L 21/205
, B01J 19/00
, C23C 16/44
, C30B 25/02
