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J-GLOBAL ID：200903057834001397

半導体装置の製造方法

Inventor： 竹橋 信逸 ,  畑田 賢造
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994015071
Publication number (International publication number)：1995226420
Application date： Feb. 09, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 回路基板上にフリップチップ方式で半導体チップを搭載するようにした半導体装置の製造方法において、樹脂中の残留気泡をなくして半導体装置の信頼性を高め、かつ樹脂注入時間の短縮により製造コストを低減する。【構成】 回路基板1に対し、半導体チップ5をフェースダウンで対向させ、両者を接合した後、半導体チップ5の周囲の回路基板との接合部に光硬化性樹脂8を塗布する。その後、回路基板1の主面側と開孔部2側とを減圧し、光硬化性樹脂8を硬化させる。この減圧工程で、光硬化性樹脂8が広い表面積を介して迅速に脱泡されるとともに、毛細管作用が促進され、光硬化性樹脂8の半導体チップ-回路基板間の空間Hへの注入時間が短縮される。

Claim (excerpt)：

半導体チップを搭載しようとする領域内に開孔部が設けられ、かつ主面に半導体チップの電極と相対する位置に接続電極と突起電極とが設けられた回路基板を準備する工程と、半導体チップをフェースダウンで回路基板の主面に対向させて、上記半導体チップの電極と上記回路基板の接続電極とを位置合わせする工程と、上記半導体チップを回路基板に熱圧着する工程と、上記半導体チップ周囲の回路基板に接する部位に沿って樹脂を塗布する工程と、上記回路基板の主面側の半導体チップ-回路基板の接合部と回路基板の開孔部側とを減圧させる工程と、上記樹脂の硬化を行う工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31