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J-GLOBAL ID：200903057859567310

レーザ装置及びその制御方法

Inventor： 山西 正道 ,  秋草 直大 ,  枝村 忠孝
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  石田 悟
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004331134
Publication number (International publication number)：2006140425
Application date： Nov. 15, 2004
Publication date： Jun. 01, 2006
Summary：

【課題】赤外領域における単一波長の光を効率的に出力できて波長を変えることも可能なレーザ装置及びそのレーザ装置の制御方法を提供する。【解決手段】レーザ装置2は、複数の半導体層12〜16が半導体基板11上に積層された積層体10を有し、複数の半導体層の1つの半導体層は、発光領域14Aと注入領域14Bが交互に積層された活性層14であり、積層体が有する第1の端面10aから活性層で生成された光Lを出力するカスケードレーザ素子2Aと、カスケードレーザ素子に電圧を供給して駆動する素子駆動手段2Bと、積層体の第1の端面10aに略直交する方向に進行する弾性波を活性層に供給する弾性波供給手段2Dと、カスケードレーザ素子の利得が略極大値になるターンオン電圧を素子駆動手段によってカスケードレーザ素子に供給させ、弾性波を弾性波供給手段によって活性層に供給させる制御手段2Cとを備える。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

複数の半導体層が半導体基板上に積層された積層体を有し、複数の前記半導体層のうちの1つの半導体層は、量子井戸構造におけるサブバンド間遷移によって光を生成する発光領域と前記発光領域に電子を注入する注入領域とが複数の前記半導体層の積層方向に沿って交互に積層されてなる圧電性を有する活性層であり、前記積層体が有する互いに対向する第1及び第2の端面のうち前記第1の端面から前記活性層で生成された光を出力するカスケードレーザ素子と、 前記カスケードレーザ素子に電圧を供給して前記カスケードレーザ素子を駆動する素子駆動手段と、 前記第1の端面に略直交する方向に進行する弾性波を前記活性層に供給する弾性波供給手段と、 前記カスケードレーザ素子の利得が略極大値になるターンオン電圧を、前記素子駆動手段によって前記カスケードレーザ素子に供給させると共に、前記弾性波を、前記弾性波供給手段によって前記活性層に供給させる制御手段と、 を備えることを特徴とするレーザ装置。

IPC (4)：

H01S 5/12 ,  H01S 5/062 ,  H01S 5/068 ,  H01S 5/34

FI (4)：

H01S5/12 ,  H01S5/062 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/34

F-Term (28)：

5F173AB19 ,  5F173AB28 ,  5F173AB50 ,  5F173AD12 ,  5F173AF06 ,  5F173AF12 ,  5F173AH02 ,  5F173AK21 ,  5F173AL04 ,  5F173AL12 ,  5F173AP75 ,  5F173AP76 ,  5F173AR04 ,  5F173AR06 ,  5F173MF28 ,  5F173SA02 ,  5F173SA26 ,  5F173SC02 ,  5F173SC10 ,  5F173SE01 ,  5F173SF03 ,  5F173SF09 ,  5F173SF32 ,  5F173SF33 ,  5F173SF42 ,  5F173SF43 ,  5F173SF63 ,  5F173SF65

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 単極性半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-078049   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション