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J-GLOBAL ID:200903057889852167

不揮発性メモリを用いた光-電気変換装置、およびこれを利用した画像装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 稲岡 耕作 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999281946
Publication number (International publication number):2001102559
Application date: Oct. 01, 1999
Publication date: Apr. 13, 2001
Summary:
【要約】【課題】撮像、画像記憶および画像表示を1個の固体装置で実現する。【解決手段】画像装置の画素を構成する光-電気変換装置10は、フローティングゲート型FET素子11と、これに接続されたFEC素子(電界放出素子)12とを備える。フローティングゲート17に電子が捕獲された「0」状態から、エミッタ電極21に光を当て、光電効果により電子を放出させると、フローティングゲート17内の電子を引き抜くことができ、FET素子11を「1」状態にできる。つまり、画像の書き込み(撮像)を行うことができ、同時に、その画像を不揮発に記憶できる。コントロールゲート19に読出電圧を印加し、ソースSとコレクタ電極22との間に適当な電圧を印加すると、FET素子11が「1」状態であれば、ソース・ドレイン間が導通し、エミッタ電極21からの放電が起こる。これにより、蛍光体層24が発光し、画像の表示が達成される。
Claim (excerpt):
光-電気変換素子と、この光-電気変換素子に接続された不揮発性記憶素子とを含むことを特徴とする光-電気変換装置。
IPC (12):
H01L 27/146 ,  G01J 1/02 ,  G01J 1/38 ,  G01J 1/44 ,  H01J 29/96 ,  H01J 31/12 ,  H01J 31/26 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/15 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (11):
G01J 1/02 Q ,  G01J 1/38 ,  G01J 1/44 A ,  G01J 1/44 N ,  H01J 29/96 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 31/26 ,  H01L 27/15 B ,  H01L 27/14 A ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
F-Term (50):
2G065AA04 ,  2G065AB04 ,  2G065BA17 ,  2G065BA19 ,  2G065BA33 ,  2G065BA34 ,  2G065BC02 ,  2G065BC33 ,  2G065BD03 ,  2G065BE08 ,  2G065DA18 ,  4M118AB01 ,  4M118BA02 ,  4M118BA14 ,  4M118BA30 ,  4M118CA03 ,  4M118FA34 ,  4M118FA39 ,  4M118FC02 ,  5C032AA01 ,  5C032AA07 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12 ,  5C037AA07 ,  5C037AB06 ,  5F001AA17 ,  5F001AA25 ,  5F001AB08 ,  5F001AC01 ,  5F001AC02 ,  5F001AE02 ,  5F001AE03 ,  5F001AE09 ,  5F083EP23 ,  5F083ER06 ,  5F083ER07 ,  5F083ER17 ,  5F083ER18 ,  5F083ER25 ,  5F083FR02 ,  5F101BA07 ,  5F101BA62 ,  5F101BB05 ,  5F101BC01 ,  5F101BC02 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (6)
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