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J-GLOBAL ID：200903057900364463

TRIP素子及びその歪み読取り装置

Inventor： 加登 文士 ,  新川 秀一
Applicant, Patent owner： 株式会社光電製作所 ,  株式会社計測リサーチコンサルタント
Agent (1)： 櫻井 俊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999155939
Publication number (International publication number)：2000346715
Application date： Jun. 03, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】安価でかつ衝撃力などによる破壊が生じにくいTRIP素子とその歪みの読取り装置を提供する。【解決手段】本発明のTRIP素子は、塑性変形に伴って磁気的特性を変化させるTRIP素片(11)と、このTRIP素片(11)の両側に形成されると共にこのTRIP素片よりも大きな断面形状を有する取付け部(12,13) とから成り、コイルや電子部品が除去されることにより低廉化と堅牢化が実現されている。このTRIP素子に生じた歪みは、その磁気的特性の変化を読取るためのコイルを備えた読取り装置によって読取られる。

Claim (excerpt)：

塑性変形に伴って磁気的特性を変化させるTRIP素片と、このTRIP素片の両側に形成されると共にこのTRIP素片よりも大きな断面形状を有する取付け部とから成ることを特徴とするTRIP素子。

IPC (5)：

G01L 1/06 ,  G01B 7/24 ,  G01L 1/12 ,  G01P 15/06 ,  G01P 15/08

FI (5)：

G01L 1/06 ,  G01B 7/24 ,  G01L 1/12 ,  G01P 15/06 ,  G01P 15/08 C

F-Term (8)：

2F063AA26 ,  2F063EA20 ,  2F063EC01 ,  2F063EC05 ,  2F063EC30 ,  2F063GA01 ,  2F063MA04 ,  2F063ZA01