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J-GLOBAL ID：200903057910599795

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 和田 俊男 ,  谷 智船
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991281021
Publication number (International publication number)：1993121706
Application date： Oct. 28, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高集積・高密度化を図り、基板バイアスをかけることのできる素子およびSOI構造をとる素子を同一基板上に容易に製造できる半導体装置およびその製造方法を提供すること。【構成】 半導体基板1の全面に酸素イオン注入2し、酸素偏析層3を形成する。次に、酸素偏析層3のある一部を除去し、半導体基板領域6を形成する。この後、熱処理により酸素偏析層3により絶縁物層5が形成される。次に基板表面に分離絶縁膜7を形成し、素子を形成する。

Claim (excerpt)：

SOI構造の半導体素子領域と基板バイアスをかけることのできる半導体素子領域を同一基板上に有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265