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J-GLOBAL ID:200903057938748176

フォトマスク

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 田治米 登 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994261621
Publication number (International publication number):1996101491
Application date: Sep. 30, 1994
Publication date: Apr. 16, 1996
Summary:
【要約】【目的】 半導体装置の製造プロセスのフォトリソグラフィ工程において、フォトレジスト膜に形成するパターンを所期の矩形パターンに十分に近似させ、高精度にパターニングできるようにする。【構成】 少なくとも一部に透光部10b又は遮光部10aからなる矩形パターンPを設けたフォトマスクにおいて、その矩形パターンPの隣接領域に、その矩形パターンの投影像の光強度分布を補正し、投影像のパターンのコーナー部の丸みを低減させる補正パターンp1 、p2 を設ける。
Claim (excerpt):
遮光部又は透光部の少なくとも一部に透光部又は遮光部からなる矩形パターンを有するフォトマスクにおいて、その矩形パターンの隣接領域に、その矩形パターンの投影像の光強度分布を補正し、投影像のパターンのコーナー部の丸みを低減させる補正パターンが設けられていることを特徴とするフォトマスク。

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