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J-GLOBAL ID：200903057947161188

スパッタリング方法及び装置

Inventor： 青倉 勇 ,  森 達之 ,  小西 良一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000362957
Publication number (International publication number)：2002167670
Application date： Nov. 29, 2000
Publication date： Jun. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ガス圧力の変化によって膜質を変化させることなく、安定的に放電を開始し、高品質な膜を形成することができるスパッタリング方法及び装置を提供する。【解決手段】 基板の薄膜形成初期の供給電力が、基板の薄膜形成に必要な供給電力の10%以下とすることにより、薄膜形成用の電力を供給する際、圧力を高めることがなく、高品質かつ安定に薄膜を形成することができる。

Claim (excerpt)：

真空室内に、スパッタリング電極に支持したターゲットに対して基板を対向させて配設した状態で、上記スパッタリング電極に高周波又は直流電力を供給して上記ターゲット上にプラズマを形成し、プラズマ中のイオンによって上記ターゲットをスパッタリングし、上記基板上に薄膜を形成するスパッタリング方法において、上記基板の薄膜形成初期の供給電力が、上記基板の薄膜形成に必要な供給電力の10%以下であることを特徴とするスパッタリング方法。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  B01J 19/08 ,  H05H 1/24 ,  H05H 1/46

FI (4)：

C23C 14/34 R ,  B01J 19/08 H ,  H05H 1/24 ,  H05H 1/46 M

F-Term (18)：

4G075AA24 ,  4G075AA61 ,  4G075BC02 ,  4G075CA13 ,  4G075CA15 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075DA01 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075EB42 ,  4K029BA03 ,  4K029BD12 ,  4K029CA05 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029EA03 ,  4K029EA09