Pat
J-GLOBAL ID：200903057950620584
半導体レーザ及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993084738
Publication number (International publication number)：1994302906
Application date： Apr. 12, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 窓構造を有しており、かつ、無効電流の発生をを防ぐことにより低しきい値、低動作電流での動作が可能な半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 基板1上に配置された第1導電型の下クラッド層2と、該下クラッド層2上に配置された量子井戸構造層3と、該量子井戸構造層3上に配置された第2導電形の上クラッド層4と、該クラッド層4上に配置された半導体レーザの共振器長方向に伸びる、共振器端面に達しない長さのリッジ12と、レーザ共振器端面近傍の量子井戸構造層3に不純物の導入により形成された無秩序化領域14と、リッジ12を埋め込むように、上記上クラッド層4上に配置された第1導電形の電流ブロック層6とを備えた。
Claim (excerpt)：
第1導電形の半導体基板上に配置された第1導電形の下クラッド層と、該下クラッド層上に配置された、バリア層及びウェル層が交互に積層されてなる量子井戸構造層と、該量子井戸構造層上に配置された第2導電形の上クラッド層と、該上クラッド層上に配置された、半導体レーザの共振器長方向に伸びる、レーザ共振器端面に達しない長さのストライプ状の第2導電形の半導体からなるリッジと、レーザ共振器端面近傍の上記量子井戸構造層に、不純物の導入により形成された無秩序化領域と、上記リッジ周囲の上記上クラッド層上に該リッジを埋め込むように配置された第1導電形の電流ブロック層と、上記電流ブロック層と上記リッジ上部に配置された第2導電形のコンタクト層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page
