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J-GLOBAL ID：200903057958140310

マイクロストリップガスチャンバーおよびその製造方法

Inventor： 佐藤 恵二 ,  井上 昌宏 ,  山中 順子
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995007516
Publication number (International publication number)：1996201524
Application date： Jan. 20, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】 絶縁耐圧が高く絶縁耐圧不良の発生しないマイクロストリップガスチャンバーを実現する。【構成】 ガスチャンバー用マイクロストリップ電極は絶縁基板としての石英基板7にAlにより厚み0.3μmで第1金属膜3、層間膜としてCVDにより形成したSi3 N4 にボロンをイオン注入した厚み2.0μmのSi3 N4 膜8とAlにより厚み2.0μmのアノード電極5とカソード電極6よりなる。

Claim (excerpt)：

絶縁体上に導電層と絶縁物からなる層間膜を有するマイクロストリップ電極をもつマイクロストリップガスチャンバーにおいて前記層間膜が不純物を有する窒化珪素であることを特徴とするマイクロストリップガスチャンバー。