Pat
J-GLOBAL ID:200903057961642881
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001190647
Publication number (International publication number):2003002925
Application date: Jun. 25, 2001
Publication date: Jan. 08, 2003
Summary:
【要約】【解決手段】 式(1a)及び(1b)、又は(1a)、(1b)及び(1c)の繰り返し単位を含む高分子化合物。【化1】(R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>5</SP>〜R<SP>7</SP>、R<SP>10</SP>〜R<SP>12</SP>はH、F、又はアルキル又はフッ素化アルキル、R<SP>3</SP>はF、又はフッ素化アルキル、R<SP>4</SP>及びR<SP>8</SP>はH又は酸不安定基、R<SP>9</SP>及びR<SP>14</SP>はF、又はアルキル又はフッ素化アルキル、R<SP>13</SP>は-C(CF<SB>3</SB>)<SB>2</SB>-O-R<SP></SP><SP>15</SP>、R<SP>15</SP>はH又は酸不安定基、0<a<1、0<b<1、0≦c<1、0<a+b+c≦1、dは1〜4、e及びfは0〜5の整数、1≦e+f≦5。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れている上、レジストの透明性が向上し、それと同時に優れた解像性、基板密着性及びプラズマエッチング耐性を有する。
Claim (excerpt):
下記一般式(1a)及び(1b)、又は(1a)、(1b)及び(1c)の繰り返し単位を含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>5</SP>〜R<SP>7</SP>、R<SP>10</SP>〜R<SP>12</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>3</SP>はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R<SP>4</SP>及びR<SP>8</SP>は水素原子又は酸不安定基を表す。R<SP>9</SP>及びR<SP>14</SP>はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>13</SP>は-C(CF<SB></SB><SB>3</SB>)<SB>2</SB>-O-R<SP>15</SP>であり、R<SP>15</SP>は水素原子又は酸不安定基を表す。0<a<1、0<b<1、0≦c<1であり、0<a+b+c≦1である。dは1〜4の整数である。e及びfは0〜5の整数であり、1≦e+f≦5である。)
IPC (7):
C08F212/14
, C08F220/04
, C08F220/22
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, G03F 7/38 501
, H01L 21/027
FI (7):
C08F212/14
, C08F220/04
, C08F220/22
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, G03F 7/38 501
, H01L 21/30 502 R
F-Term (45):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 2H096AA25
, 2H096BA11
, 2H096DA01
, 2H096EA03
, 2H096EA05
, 2H096EA07
, 2H096FA01
, 2H096GA08
, 2H096JA02
, 4J100AB07Q
, 4J100AB10R
, 4J100AL26P
, 4J100AL26R
, 4J100BA04P
, 4J100BA04Q
, 4J100BA04R
, 4J100BA20P
, 4J100BB17Q
, 4J100BB17R
, 4J100BC03P
, 4J100BC04P
, 4J100BC07P
, 4J100BC12P
, 4J100BC22P
, 4J100BC23P
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100DA01
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent: