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J-GLOBAL ID：200903057980394279

不揮発性メモリ制御方法及び装置

Inventor： 松村 洋幸 ,  野内 隆夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高崎 芳紘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991285653
Publication number (International publication number)：1993100965
Application date： Oct. 04, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 不揮発性メモリへの実効的なアクセス時間を高速化する。【構成】 揮発性メモリ11〜1nの各0番地をメモリ空間のアドレス0〜nー1番地に、揮発性メモリ11〜1nの各1番地をメモリ空間のアドレスk〜k+n-1番地に・・・というように対応づけ、一方、メモリ空間のアドレス0〜k-1を不揮発性メモリ21に、メモリ空間のアドレスk〜2k-1を不揮発性メモリ22に・・・というように対応づける。こうして得られる揮発性メモリと不揮発性メモリの対応づけに従って揮発性メモリの連続したアドレスを順次不揮発性メモリへ書き込む。【効果】 揮発性メモリの連続したアドレスのデータは1つづつ別の不揮発性メモリへ順次書き込まれるから、個々の不揮発性メモリへの書き込み動作完了を待たずに次々と書き込みが行え、実効的書き込み速度が向上する。

Claim (excerpt)：

複数個の不揮発性メモリへ処理装置内の揮発性メモリから複数のデータを書き込むための不揮発性メモリ制御方法において、揮発性メモリの連続したアドレスを順次上記不揮発性メモリ内のアドレスに対応づけるようにアドレス変換を行い、これにより揮発性メモリの連続したアドレスのデータを上記不揮発性メモリへ書き込むことを特徴とする不揮発性メモリ制御方法。

IPC (2)：

G06F 12/16 340 ,  G11C 16/06