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J-GLOBAL ID：200903058006167873

位相シフトマスクの作製方法

Inventor： 菅原 稔
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993191623
Publication number (International publication number)：1995020625
Application date： Jul. 06, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】リム方式あるいは補助パターン方式の位相シフトマスクにおいて、帯電防止層を用いることなく且つ相互近接効果補正をすることなく、所望の寸法のレジストパターンを容易に形成できる位相シフトマスクの作製方法を提供する。【構成】基板20、並びに基板20に形成された、光透過領域10、遮光領域12、及び光透過領域を通過した光の位相と異なる位相の光を通過させる領域14から成る位相シフトマスクの作製方法は、(イ)基板20に、光透過領域10、及び導電性材料から成る遮光層22を有する遮光領域12を形成する工程と、(ロ)光透過領域10に隣接しあるいは近接した遮光領域12の部分に、光透過領域を通過した光の位相と異なる位相の光を通過させる領域14を形成する工程から成る。

Claim (excerpt)：

基板、並びに該基板に形成された、光透過領域、遮光領域、及び光透過領域を通過した光の位相と異なる位相の光を通過させる領域から成る位相シフトマスクの作製方法であって、(イ)基板に、光透過領域、及び導電性材料から成る遮光層を有する遮光領域を形成する工程と、(ロ)該光透過領域に隣接しあるいは近接した遮光領域の部分に、光透過領域を通過した光の位相と異なる位相の光を通過させる領域を形成する工程、から成ることを特徴とする位相シフトマスクの作製方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528