Pat
J-GLOBAL ID:200903058011776446
表示装置の作製方法、及びエッチング装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007265332
Publication number (International publication number):2008118123
Application date: Oct. 11, 2007
Publication date: May. 22, 2008
Summary:
【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。【解決手段】チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤(エッチングガス又はエッチング液)を絶縁層に吐出する。吐出(された処理剤(エッチングガス又はエッチング液)によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。従って、導電層上に開口を有する絶縁層が形成され、絶縁層下の導電層が開口の底面に露出する。露出された導電層と接するように開口に導電膜を形成し、導電層と導電膜を絶縁層に設けられた開口において電気的に接続する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
導電層を形成し、
前記導電層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層にチューブを接して配置し、
前記チューブより処理剤を吐出し前記絶縁層に前記導電層に達する開口を形成し、
前記開口に前記導電層と接するように導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
IPC (9):
H01L 21/768
, H01L 21/320
, H01L 21/288
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H05B 33/10
, H01L 51/50
, H01L 21/28
, H01L 21/302
FI (9):
H01L21/90 A
, H01L21/88 B
, H01L21/288 Z
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 627C
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H01L21/28 L
, H01L21/302 201A
F-Term (191):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC45
, 3K107DD47Z
, 3K107EE03
, 3K107GG06
, 3K107GG35
, 4M104AA01
, 4M104AA02
, 4M104AA08
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, 4M104AA10
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, 4M104BB18
, 4M104BB30
, 4M104BB33
, 4M104BB36
, 4M104BB39
, 4M104CC01
, 4M104DD07
, 4M104DD08
, 4M104DD09
, 4M104DD13
, 4M104DD15
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD18
, 4M104DD20
, 4M104DD22
, 4M104DD51
, 4M104DD81
, 4M104EE03
, 4M104EE12
, 4M104EE16
, 4M104EE17
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, 4M104FF09
, 4M104FF11
, 4M104FF13
, 4M104FF21
, 4M104GG08
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH12
, 4M104HH20
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, 5F033RR08
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, 5F033RR15
, 5F033RR21
, 5F033RR22
, 5F033SS07
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, 5F033SS13
, 5F033SS22
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, 5F033TT02
, 5F033VV06
, 5F033VV15
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, 5F033XX33
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, 5F110AA16
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, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
パターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-305726
Applicant:鹿児島日本電気株式会社
Cited by examiner (2)
-
特許第6290863号
-
半導体装置の作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-124371
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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