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J-GLOBAL ID：200903058018366944

窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法及び成長基板

Inventor：
森田 大介

About 森田 大介


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001015090
Publication number (International publication number)：2002223041
Application date： Jan. 23, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：
【要約】【課題】基板への横方向成長等のデバイス工程を無くした低欠陥である窒化ガリウム系化合物半導体基板を製造できるようにする。【解決手段】基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる方法であって、ハイドライド気相エピタキシャル成長法で成長速度を変えて2段階成長させる。
Claim (excerpt)：
ハイドライド気相エピタキシャル成長法により基板上に成長させた窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、基板上に、第1の窒化ガリウム系化合物半導体から成る核、又は層を介して、ハイドライド気相エピタキシャル成長法により成長させた第2の窒化ガリウム系化合物半導体層と、その上に第3の窒化ガリウム系化合物半導体層とを有し、前記第2の窒化ガリウム系化合物半導体層の成長速度(R2)と、第3の窒化ガリウム系化合物半導体層の成長速度(R3)との比(R2/R3)が1以上であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体基板。
IPC (4)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/02
FI (4)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/02
F-Term (43)：
5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC13 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045DQ08 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28 ,  5F073HA10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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