Pat

J-GLOBAL ID：200903058026628800

絶縁膜の形成方法

Inventor： 齋藤 義治
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992254409
Publication number (International publication number)：1994112190
Application date： Sep. 24, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】アスペクト比の大きいトレンチに絶縁膜を埋め込む。【構成】TEOS16、N2 O18およびNF3 19を反応ガスとして、2.4GHzのマイクロ波発振器12および13.56MHzの高周波発振器14の出力を交互に印加する。周期的に10秒間のマイクロ波プラズマCVDと5秒間のRIEエッチバックとを50周期だけ切り替えることにより、下部電極11の試料ウェーハ13に形成されたアスペクト比の大きいトレンチにSiO2 を埋め込んだのち、最後に250秒間、高周波発振器14の出力を印加して表面に堆積した余分のSiO2 をエッチバック(平坦化)する。

Claim (excerpt)：

テトラエチルオルソシリケート、亜酸化窒素、アンモニアおよび三弗化窒素からなる反応気体をプラズマ化して、半導体基板の表面に絶縁膜を気相成長させる絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40