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J-GLOBAL ID：200903058032765479

半導体装置

Inventor： 坂本 勝
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 豊田 善雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992075981
Publication number (International publication number)：1993243579
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 優れたコンタクト特性を示す、高速かつ低消費電力の半導体装置を提供する。【構成】 ITO薄膜108とSi領域102,105との間にTi化合物107よりなる層を設けた半導体装置。

Claim (excerpt)：

ITO薄膜とSi領域との間に少なくともTi化合物よりなる層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/40 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 29/78 311 S ,  H01L 31/04 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-129326
  
• 特開平1-276746
  
• 特開平2-067763