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J-GLOBAL ID:200903058050103114

非水電解質二次電池用多孔質膜の製造方法、非水電解質二次電池用電極の製造方法、非水電解質二次電池用多孔質膜および非水電解質二次電池用電極並びに非水電解液二次電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大川 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001145341
Publication number (International publication number):2002170541
Application date: May. 15, 2001
Publication date: Jun. 14, 2002
Summary:
【要約】【課題】安全性が高く、低コストな非水電解液二次電池を作成できる非水電解液二次電池用多孔質膜及び非水電解液二次電池用電極の製造方法を提供すること。また、安全性が高く、低コストな非水電解液二次電池を提供すること。【解決手段】本発明の非水電解質二次電池用電極の製造方法は、非水電解質二次電池用の正極もしくは負極である電極板を形成する電極板形成工程と、高分子材料から構成される多孔質膜を形成する多孔質膜形成工程を含み該多孔質膜を表面上にもつ該電極板を得る多孔質膜付与工程と、を有する非水電解質二次電池用電極の製造方法において、前記多孔質膜付与工程は、前記多孔質膜形成工程以後に、該高分子材料に含まれる基と異なる所定置換基を該所定置換基内の2以上の連続する炭素原子を介して該高分子材料の主鎖の炭素原子と結合させて、該多孔質膜の少なくとも一部を修飾する修飾工程をもつことを特徴とする。
Claim (excerpt):
高分子材料から構成される多孔質膜を形成する多孔質膜形成工程と、該高分子材料に含まれる基と異なる所定置換基を該所定置換基内の2以上の連続する炭素原子を介して該高分子材料の主鎖の炭素原子と結合させて、該多孔質膜の少なくとも一部を修飾する修飾工程と、をもつことを特徴とする非水電解質二次電池用多孔質膜の製造方法。
IPC (6):
H01M 2/16 ,  C08J 9/28 CFG ,  C08J 9/36 ,  H01M 4/02 ,  H01M 10/40 ,  C08L101:00
FI (6):
H01M 2/16 P ,  C08J 9/28 CFG ,  C08J 9/36 ,  H01M 4/02 B ,  H01M 10/40 Z ,  C08L101:00
F-Term (68):
4F074AA26 ,  4F074AA38 ,  4F074AA57 ,  4F074AA66 ,  4F074AA67 ,  4F074AA71 ,  4F074AA72 ,  4F074AA74 ,  4F074AA75 ,  4F074AA76 ,  4F074AA87 ,  4F074AH03 ,  4F074CB33 ,  4F074CC05Y ,  4F074CC29Y ,  4F074CD11 ,  4F074CD17 ,  4F074DA49 ,  5H021AA06 ,  5H021BB01 ,  5H021BB11 ,  5H021BB12 ,  5H021BB15 ,  5H021CC02 ,  5H021CC04 ,  5H021EE02 ,  5H021EE39 ,  5H021HH00 ,  5H021HH01 ,  5H029AJ12 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK03 ,  5H029AK18 ,  5H029AL07 ,  5H029AL12 ,  5H029AM03 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ02 ,  5H029BJ14 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ05 ,  5H029CJ08 ,  5H029CJ22 ,  5H029CJ28 ,  5H029DJ04 ,  5H029DJ13 ,  5H029EJ12 ,  5H029HJ00 ,  5H029HJ01 ,  5H050AA15 ,  5H050AA19 ,  5H050BA15 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB08 ,  5H050CB12 ,  5H050DA19 ,  5H050FA04 ,  5H050FA13 ,  5H050GA02 ,  5H050GA07 ,  5H050GA08 ,  5H050GA10 ,  5H050GA22 ,  5H050GA27 ,  5H050HA00 ,  5H050HA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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