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J-GLOBAL ID：200903058065230678

磁性多層膜

Inventor： 小室 又洋 ,  光岡 勝也 ,  高橋 宏昌
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中本 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992194544
Publication number (International publication number)：1994020834
Application date： Jun. 30, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 飽和磁束密度の高い強磁性元素を含んだ膜で保磁力を小さくした磁性多層膜を提供する。【構成】 強磁性元素を含む膜と、該強磁性元素を含む膜の面間隔と整合関係を持った面間隔を有する非磁性材料とを交互にエピタキシャル成長して積層している磁性多層膜であり、前記強磁性元素を含む膜は、Fe-N二元系膜又はFe-Co-N三元系膜であり、非磁性材料はMgO,GaAs,In0.2 Ga0.8 Asから選ばれた少なくとも一つであり、また、この磁性多層膜は、保磁力が20Oe以下、飽和磁束密度が2.0T以上である。

Claim (excerpt)：

強磁性元素を含む膜と、該強磁性元素を含む材料がもつ格子定数と近似した格子定数をもつ非磁性材料とが、交互に積層していることを特徴とする磁性多層膜。

IPC (5)：

H01F 10/14 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 41/20