半導体記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997024169
Publication number (International publication number)：1998223776
Application date： Feb. 06, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】信号線の数が少なく、かつトランジスタを駆動するゲート電圧を十分に低くしても、データディスターブを招かずに済む半導体記憶装置を提供する。【解決手段】データを書き込みデータノード5nに与え、かつ駆動電圧-Vpをワードノード7nに印加して、書き込みMOSトランジスタ6をオンにし、データを蓄積MOSトランジスタ3のゲートG3に書き込み、このデータに応じて蓄積MOSトランジスタ3をオン又はオフにする。データを読み出すときには、駆動電圧Vnをワードノード7nに印加して、読み出しMOSトランジスタ4をオンにする。このとき、ゲートG3のデータに応じて蓄積MOSトランジスタ3がオンとなっていれば、基準電位ノード1nの基準電位VDDが読み出しデータノード2nに供給される。また、データに応じて蓄積MOSトランジスタ3がオフとなっていれば、基準電位VDDが読み出しデータノード2nに供給されない。

Claim (excerpt)：

基準電位と読み出しデータノード間に、蓄積スイッチング素子及び読み出しスイッチング素子を直列接続して挿入し、書き込みデータノードと蓄積スイッチング素子のゲート間に、読み出しスイッチング素子とは相補的に動作する書き込みスイッチング素子を挿入し、読み出しスイッチング素子及び書き込みスイッチング素子の各ゲートをワードノードに共に接続し、ワードノードの信号によって、読み出しスイッチング素子及び書き込みスイッチング素子を相補的に動作させる半導体記憶装置。

IPC (2)：

H01L 21/8242 , H01L 27/108

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭62-058672
特開平2-044763
特開昭47-027686

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