Pat

J-GLOBAL ID：200903058087268610

半導体レーザ素子

Inventor： 伊地知 哲朗 ,  入川 理徳 ,  ランジット エス マンド ,  ジミー スー
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 齋藤 義雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993348149
Publication number (International publication number)：1995030199
Application date： Dec. 25, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 安定した横モードを得ることのできる半導体レーザ素子を提供する。【構成】 リッジ型半導体レーザ素子においてレーザ動作時に基本横モードを発振させるために、厚さ(d)=0.25〜0.50μmの上部クラッド層15が活性層13の上部に残されており、底部幅(W)=2.0〜3.5μmのリブ型クラッド層16が活性層13の発光領域と対応して上部クラッド層15の上面より突出している。【効果】 dおよびWが上記の範囲内にあるので、安定した横モードを得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上に下部クラッド層と上部クラッド層とで覆われた活性層を備えた半導体レーザ素子において、レーザ動作時に基本横モードを発振させるために、厚さ0.25〜0.50μmの上部クラッド層が活性層の上部に残されているとともに、底部幅2.0〜3.5μmのリブ型クラッド層が活性層の発光領域と対応して上部クラッド層の上面より突出していることを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-260880
  
• 特開平3-145172
  
• 特開平4-241488