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J-GLOBAL ID：200903058088497868

半導体厚測定装置及びその測定方法

Inventor： 大谷 篤史
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996151620
Publication number (International publication number)：1997311018
Application date： May. 22, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体厚測定の高精度化及び高速化を実現すること。【解決手段】光源1 内には半導体レーザ等から成る光増幅媒体7 によりレーザ共振器が構成され, 駆動手段15により波長選択素子8 の光ビームに対する角度が変化することで可変波長の光ビーム2 が放射される。素子8 の角度は角度検出器9により検出され, ビーム2 の強度は光源出力検出器10により検出される。ビーム2 は光学素子3 を介して半導体サンプル4 の被測定部位に照射され, サンプル4にて反射された光ビーム5 は素子3 を介して光量検出器6 に導かれ, ビーム5 の強度が検出される。検出器6,9,及び10の各検出値はA/D 変換器11により同期してデジタル変換され, 波形成形器12により波長と強度が対応した信号光波形が成形される。周波数解析器13ではパワースペクトルのピーク値より中心周波数が求められ, その値に基づいて厚さ換算表示装置14でサンプル4の厚さが算出される。

Claim (excerpt)：

被測定対象としての半導体に可変波長の光ビームを照射し、その半導体から得られる信号光を用いて前記半導体の肉厚を測定する非接触型の半導体厚測定装置であって、前記半導体の透過波長領域内で前記光ビームの波長を変化させて放射する光照射手段と、前記光照射手段から放射される前記光ビームの波長を検出する波長検出手段と、前記光ビームを前記半導体の被測定部位に照射する光学系手段と、前記波長検出手段による波長検出に同期させて、前記半導体から得られる前記光ビームの反射光または透過光による信号光の強度を検出する信号光強度検出手段と、前記波長検出手段及び前記信号光強度検出手段からの検出値を用いて前記信号光の周波数解析を行い、そのパワースペクトルのピーク値を前記信号光の中心周波数として算出する信号処理手段と、前記信号処理手段により算出された前記信号光の中心周波数に基づいて前記半導体の前記被測定部位の肉厚を算出する解析手段とを備えたことを特徴とする半導体厚測定装置。

IPC (3)：

G01B 11/06 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/66

FI (3)：

G01B 11/06 Z ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/302 E