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J-GLOBAL ID：200903058089884270

半導体化学気相成長システム

Inventor： 吉川 清 ,  蓑星 富夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993331422
Publication number (International publication number)：1995193008
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 取扱いが容易で手間が掛からず、均一な薄膜を積層することができる半導体化学気相成長システムを提供する。【構成】 反応終了後の排出ガスを反応装置11から排出するガス排気口14に、第1の排気配管16、りん捕集装置17、第2の排気配管19、フィルタ装置22、排ガス処理装置25を連設しており、りん捕集装置17は排出ガスを冷却して該排出ガス中のりんを固化して捕集するりん捕集部30と冷却機構31とを有している。これにより、ガス排気口14から排出された排出ガスはりん捕集装置17内を通流する間に冷却機構31によって冷却され、排出ガス中に含まれているりんはりん捕集部30に付着・固化して確実に捕集され、排出ガス中にはほとんどりんは含まれていないものとなる。こうして排出ガス中からのりん捕集は、取扱いが容易な状況の下に手間が掛からずに行える。

Claim (excerpt)：

導入した所定反応ガスによって収納された基板上に化合物半導体の生成を行う反応装置と、この反応装置のガス排気口の下流側に設けられた排ガス処理装置を備えてなる半導体化学気相成長システムにおいて、前記反応装置のガス排気口と前記排ガス処理装置との間の前記排出ガスの流路には、前記排出ガスを冷却して該排出ガス中のりんを固化して捕集するりん捕集装置が挿入されていることを特徴とする半導体化学気相成長システム。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  B01D 8/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭61-242011
  
• 特開平1-223735
  
• 特開平2-059002
  
• 特開平2-222722
  
• 特開平2-303023