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J-GLOBAL ID：200903058109449362

SiC単結晶の成長方法

Inventor： 高橋 淳 ,  金谷 正敏
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993088909
Publication number (International publication number)：1994298600
Application date： Apr. 15, 1993
Publication date： Oct. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高品質SiCウェハを作製するため、良質で大型のSiC単結晶インゴットを成長させる方法を提供する。【構成】 昇華再結晶法において、粉末SiC原料とは別にSiを含むガスを供給する成長方法。

Claim (excerpt)：

粉末SiC原料を加熱昇華させて原料温度より低い温度に保ったSiC単結晶からなる種結晶上にSiC単結晶を成長させる昇華再結晶法において、SiC供給源として粉末SiCとは別にSiを含むガスを供給することを特徴とするSiC単結晶の成長方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  H01L 33/00