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J-GLOBAL ID：200903058118799988

プラズマCVD装置

Inventor： 小松 昭彦 ,  匂坂 仁秋
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995206457
Publication number (International publication number)：1997030892
Application date： Jul. 20, 1995
Publication date： Feb. 04, 1997
Summary：

【要約】【目的】 バッチ内の膜厚分布の改善を図ることができるプラズマCVD装置を提供する。【構成】 チャンバ1は、外容器2とチャンバウォール3とから構成されている。チャンバ1の内部は、減圧され、チャンバウォール3の底面の中央部に配置されたガス導入口5を介して、原料ガスがチャンバウォール3の内部に導入される。ガス導入口5の上側には、じゃま板11が配置され、じゃま板11の縁部とチャンバウォール3との間には、ガス導入口5を介して導入された原料ガスの流路となる空隙13が設けられている。これにより、ガス導入口5を介して導入された原料ガスがチャンバウォール3の近傍に拡散され、更にチャンバウォール3とじゃま板11の縁部との間の空隙13を介してプラズマ生成室6に供給される。チャンバウォール3の内部に拡散された原料ガスは、プラズマ生成室 で生成れたプラズマ放電によって分解される。

Claim (excerpt)：

減圧されるチャンバと、このチャンバ内に原料ガスを導入するガス導入口を備える原料ガス導入手段と、前記チャンバ内に構成されて導入された原料ガスを分解するプラズマ生成室と、このプラズマ生成室で分解された粒子による成膜を行う複数の基板を着脱自在に保持する基板ホルダとを有するプラズマCVD装置において、前記導入された原料ガスを前記チャンバの内壁近傍に拡散させて前記プラズマ生成室に周囲から供給する拡散手段を備えることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3)：

C30B 25/14 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B 25/14 ,  C30B 29/04 A ,  H01L 21/205