半導体及びその絶縁膜または平坦化膜の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菊地精一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993304785
Publication number (International publication number)：1994326202
Application date： Nov. 10, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】膜質の均一性(脱ガス性、エッチング速度の安定性)に優れると共に、平坦化特性についても「完全平坦化」に限りなく近いレベルまで改善された層間絶縁膜等を使用しかつデバイスの信頼性等の性能評価試験での合格率を改善した半導体。【構成】半導体の絶縁膜または平坦化膜として、一般式(1)で示される数平均分子量が500〜10,000であるポリオルガノシルセスキオキサン【化1】(式中、R1 ;メチル基、R2 は水素原子及び炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは分子量に対応する正の数である。)を硬化した膜を使用した半導体。

Claim (excerpt)：

半導体の絶縁膜または平坦化膜として、一般式(1)で示される数平均分子量が500〜10,000であるポリオルガノシルセスキオキサン【化1】(式中、R1 ;メチル基、R2 は水素原子および炭素数1〜4のアルキル基を示し、nは分子量に対応する正の数である。)を硬化した膜を使用したことを特徴とする半導体。

IPC (4)：

H01L 21/90 , C07F 7/02 , C09D183/04 PMS , H01B 3/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体用絶縁膜等及びそれらの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-235388 Applicant：昭和電工株式会社
特開昭57-059672
特開昭61-292342

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