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J-GLOBAL ID：200903058172599137
露光方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大森 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995124791
Publication number (International publication number)：1996316134
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：
【要約】【目的】 所定のキャプチャー・レンジを有するアライメントセンサを使用してダイ・バイ・ダイ方式で高精度にアライメントを行う。【構成】 ウエハ6上のX軸のサーチアライメントマークGMXのX座標、及びY軸のサーチアライメントマークGMY1,GMY2のY座標を計測し、計測結果を処理してウエハ6上のショット領域ES1〜ES21の大まかな配列座標を算出する。次に、全サーチアライメントマークの配列の中央に最も近いショット領域ES11から、所定のキャプチャー・レンジを有するTTR方式で且つ2光束干渉方式のアライメントセンサを用いて、ダイ・バイ・ダイ方式でのアライメント及び露光を開始し、次に露光するショット領域では、レチクルとウエハとの位置ずれ量を最初の位置ずれ量に対してキャプチャー・レンジ内に収める。
Claim (excerpt)：
マスク上の位置合わせ用マークと基板上の各ショット領域に付設された位置合わせ用マークとの位置ずれ量を所定のキャプチャーレンジ内の位置ずれ量として計測するアライメントセンサを使用して、前記マスクのパターンと前記基板上の露光対象とするショット領域との位置合わせを行った後、前記マスクのパターンを前記露光対象とするショット領域に転写する露光方法において、前記基板上に該基板の大まかな位置合わせを行うための複数個のサーチ用マークを形成しておき、該複数個のサーチ用マークの位置を検出し、該検出結果より前記基板の各ショット領域の大まかな配列座標を算出する第1工程と;前記基板上で前記複数個のサーチ用マークの配列の中央に最も近いショット領域を前記第1工程で求めた配列座標に基づいて前記マスクのパターンの露光位置に位置決めした後、前記アライメントセンサを使用して前記マスクと当該ショット領域との位置ずれ量が所定の許容値以内となるように前記マスクと前記基板とを相対的に移動した状態で、前記マスクのパターンを当該ショット領域に転写する第2工程と;前記基板上の別のショット領域を前記第1工程で算出された配列座標に基づいて前記マスクのパターンの露光位置に位置決めした状態から、前記マスクと前記基板との相対的な移動量が前記第2工程で設定された相対的な移動量に対して前記所定のキャプチャーレンジ内となるように、前記アライメントセンサを使用して前記マスクと当該ショット領域との位置合わせを行って、前記マスクのパターンを当該ショット領域に転写する第3工程と;を有することを特徴とする露光方法。
IPC (2)：
FI (4)：
H01L 21/30 520 A
, G03F 9/00 H
, H01L 21/30 525 D
, H01L 21/30 525 W
