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J-GLOBAL ID：200903058177090488

半導体素子の製法

Inventor： 奥田 勝己
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993161270
Publication number (International publication number)：1995079003
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 密着性の改善された透明導電膜を得る。【構成】 透明基体上に薄膜形成手段により0.025μm以上の平均粒径のITO結晶を有する透明導電膜を形成し、更にこの透明導電膜上に還元性活性種を含むプラズマを用いた半導体膜を形成して成る半導体素子の製法。

Claim (excerpt)：

透明基体上に薄膜形成手段により平均結晶粒径が0.025μm以上となるようなITO結晶を有する透明導電膜を形成し、該透明導電膜の上に還元性活性種を含むプラズマにより半導体膜を形成して成る半導体素子の製法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-063150
  
• 特開昭63-143875
  
• 特開昭63-202890