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J-GLOBAL ID：200903058179383024

ガスセンサ

Inventor： 吉良 満治 ,  山口 隆司 ,  村山 英美
Applicant, Patent owner： フイガロ技研株式会社
Agent (1)： 塩入 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991341856
Publication number (International publication number)：1993149907
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jun. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低抵抗でガス選択性の高い、膜型ガスセンサを得る。【構成】 基板上に一対の電極と金属酸化物半導体膜とを形成する。金属酸化物半導体膜上に表面電極を積層し、表面電極には基板上の一対の電極と対向する部分を設ける。電流は表面電極でバイパスされ、基板に垂直に金属酸化物半導体膜を流れる。この結果、低抵抗のガスセンサが得られる。基板上の電極と表面電極との触媒活性により、エタノール等のガスは酸化されて除去され、ガス選択性が得られる。表面電極を緻密にすれば、電極によるエタノール等の除去効果は特に強く現れる。

Claim (excerpt)：

基板上に一対の電極を設けると共に、これらの電極を覆うようにガス検出用の金属酸化物半導体膜を設けたガスセンサにおいて、前記の金属酸化物半導体膜上に表面電極を積層すると共に、表面電極には、金属酸化物半導体膜を介して、基板上の一対の電極のそれぞれに対して、対向する部分を設けたことを特徴とする、ガスセンサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-150754
  
• 特開昭58-216944
  
• 特開昭64-086053