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J-GLOBAL ID：200903058184796612

磁気センサ

Inventor： 菊池 和政
Applicant, Patent owner： 多摩電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001088493
Publication number (International publication number)：2002286822
Application date： Mar. 26, 2001
Publication date： Oct. 03, 2002
Summary：

【要約】【課題】磁気インピーダンス素子や磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサは、バイアス磁界やフィードバック磁界を掛けて使用されることがある。その手段としてはソレノイドコイルが有るが、その場合、小型化・薄型化の妨げとなる。そこで、フィードバック磁界を掛けても小型化・薄型化する対策が必要となる。【解決手段】本発明による磁気センサは、磁気インピーダンス素子や磁気抵抗効果素子を利用した磁気センサで、バイアス磁界やフィードバック磁界を発生させるための平面コイルを有することを特徴としている。ここに平面コイルは、センサ素子とは別の基板に作製したものを用いても良いし、センサ素子の中に作り込んでも良い。

Claim (excerpt)：

磁気インピーダンス素子や磁気抵抗効果素子を利用した磁気センサで、平面コイルを有することを特徴とする磁気センサ。

IPC (5)：

G01R 33/02 ,  G11B 5/33 ,  G11B 5/39 ,  H01F 17/00 ,  H01L 43/00

FI (5)：

G01R 33/02 D ,  G11B 5/33 ,  G11B 5/39 ,  H01F 17/00 B ,  H01L 43/00

F-Term (11)：

2G017AA01 ,  2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA02 ,  5D034BA13 ,  5D034CA08 ,  5E070AA01 ,  5E070AB01 ,  5E070CB03 ,  5E070CB15 ,  5E070CB17