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J-GLOBAL ID：200903058186115043

プラズマシリコンナイトライド膜の形成方法

Inventor： 林田 朋幸
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 尾川 秀昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993197026
Publication number (International publication number)：1995029836
Application date： Jul. 14, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 Siを含んだガス(例えばSiH4 )とNを含んだガス(例えばNH3 +N2 )を供給しながらプラズマ照射することによりSiN膜を形成するP-SiN膜の形成方法において、下地との密着性が高く剥れにくいP-SiN膜を形成できるようにする。【構成】 プラズマ照射しながら先ずNを含んだガスのみを供給してNリッチなSiN膜7を形成し、その後、Siを含んだガスも供給してSiN膜8の形成を続ける。

Claim (excerpt)：

シリコンを含んだガスと窒素を含んだガスを供給しながらプラズマ照射することによりシリコンナイトライド膜を形成するプラズマシリコンナイトライド膜の形成方法において、プラズマ照射しながら先ず窒素を含んだガスのみを供給して窒素リッチなシリコンナイトライド膜を形成し、その後、シリコンを含んだガスも供給してシリコンナイトライド膜の形成を続けることを特徴とするプラズマシリコンナイトライド膜の形成方法

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-120822
  
• 特開平4-123424
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-271150   Applicant：セイコーエプソン株式会社