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J-GLOBAL ID：200903058188454155

半導体レーザ装置

Inventor： 三宅 輝明 ,  茨木 晃 ,  古沢 浩太郎 ,  石川 徹
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992041204
Publication number (International publication number)：1993243667
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電流阻止効果の優れた電流阻止層をもつGaAlAs系半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 ダブルヘテロ構造部100上に複数のGa<SB>1-x</SB>Al<SB>x</SB>As層(0.2<x<0.8、層厚:0.1μm以下)9bを含む電流阻止層7を形成する。この電流阻止層7は凹部6が形成されており、該凹部6内に電流注入層10が形成される。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に、GaAlAs系の第1、第2クラッド層が活性層を挟持するダブルヘテロ構造部を備え、該第2クラッド層上に電流通路部をもつ電流阻止層を有する半導体レーザ装置において、該電流阻止層が複数のGa<SB>1-x</SB>Al<SB>x</SB>As層(0.2<x<0.8)を含むことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-260380
  
• 特開昭59-200483
  
• 特開平1-309391
  
• 特開平2-052486