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J-GLOBAL ID：200903058192794211

半導体ウェーハの研磨方法及び半導体ウェーハ研磨用パッド

Inventor： 森山 順一 ,  樋口 浩之 ,  和野 隆司 ,  佐々木 公光
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 松月 美勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999360616
Publication number (International publication number)：2001176829
Application date： Dec. 20, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】溝配線或いはダマシン配線形成でのシニング現象を良好に抑制できる半導体ウェーハの研磨方法を提供する。【解決手段】絶縁膜52に溝53または孔を設け、前記絶縁膜52上に金属導体層54を前記の溝53または孔を埋めて形成した半導体ウェーハの金属導体層54を絶縁膜52の表面と面一に研磨液を供給しつつ研磨パッドで化学機械研磨する方法であり、超高分子量ポリエチレン粉末の焼結多孔質シ-トを前記研磨パッドとして使用する。

Claim (excerpt)：

絶縁膜に溝または孔を設け、前記絶縁膜上に金属導体層を前記の溝または孔を埋めて形成した半導体ウェーハの金属導体層を絶縁膜表面と面一に研磨液を供給しつつ研磨パッドで化学機械研磨する方法であり、超高分子量ポリエチレン粉末の焼結多孔質シ-トを前記研磨パッドとして使用することを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/3205 ,  C08J 5/14

FI (5)：

H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/00 C ,  C08J 5/14 ,  H01L 21/88 K

F-Term (22)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  4F071AA15 ,  4F071AA81 ,  4F071AD02 ,  4F071AF20Y ,  4F071AF28Y ,  4F071AF53Y ,  4F071AH12 ,  4F071AH19 ,  4F071DA20 ,  5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033SS15 ,  5F033XX01