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J-GLOBAL ID：200903058197259438

化合物半導体素子及びその製造方法

Inventor： 杉浦 理砂 ,  板谷 和彦 ,  西尾 譲司 ,  藤本 英俊
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997016826
Publication number (International publication number)：1998215035
Application date： Jan. 30, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 サファイア基板上に結晶性及び電気的特性の良好なInAlGaN系半導体薄膜を、転位や積層欠陥等の結晶欠陥密度を低くして安定に形成することができ、素子特性及び信頼性の向上をはかると共に、製造歩留まりの向上をはかる。【解決手段】 InAlGaN系化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、サファイア基板11上にMCVD法によりGaN結晶核12を成長した後、基板11上に結晶核12よりも高い融点を有するAlGaNアモルファス層13を成長し、結晶核12を高温への昇温過程においてアモルファス層13の表面に達するまで大きく成長させ、しかる後にアモルファス層13上に半導体レーザ用の多層膜14〜21を形成する。

Claim (excerpt)：

単結晶基板の一主面上に分散形成されたIna Gab Alc N(a+b+c=1、0≦a,b,c≦1)から成る結晶核と、この結晶核を有する前記基板の一主面上に形成された、前記結晶核よりも高い融点を有するInx Gay Alz N(x+y+z=1、0≦x,y,z≦1)から成るバッファ層と、このバッファ層上に形成された窒化物系化合物半導体素子用の多層膜とを具備してなることを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/205