単層カーボンナノチューブヘテロ接合およびその製造方法ならびに半導体素子およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006291065
Publication number (International publication number)：2008105906
Application date： Oct. 26, 2006
Publication date： May. 08, 2008
Summary：

【課題】オン/オフ比などの特性が良好な単層カーボンナノチューブFETの実現が可能となる単層カーボンナノチューブヘテロ接合およびその製造方法ならびにこの単層カーボンナノチューブヘテロ接合を用いた半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】単層カーボンナノチューブの成長途中で欠陥を導入してグラフェンシートの6員環構造中に5員環または7員環を導入することによりカイラリティ変化を誘起し、半導体的単層カーボンナノチューブ11と金属的単層カーボンナノチューブ12とがそれらの長手方向に互いに接合している単層カーボンナノチューブヘテロ接合を形成する。この単層カーボンナノチューブヘテロ接合をチャネルに用いて単層カーボンナノチューブFETを製造する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体的単層カーボンナノチューブと金属的単層カーボンナノチューブとがそれらの長手方向に互いに接合していることを特徴とする単層カーボンナノチューブヘテロ接合。

IPC (2)：

C01B 31/02 , H01L 29/06

FI (2)：

C01B31/02 101F , H01L29/06 601N

F-Term (29)：

4G146AA12 , 4G146AA19 , 4G146AB06 , 4G146AB07 , 4G146AB08 , 4G146AC15B , 4G146AC16B , 4G146AD16 , 4G146AD17 , 4G146AD22 , 4G146AD29 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC16 , 4G146BC27 , 4G146BC32A , 4G146BC33A , 4G146BC33B , 4G146BC38B , 4G146BC42 , 4G146BC44 , 4G146BC46 , 4G146BC48 , 4G146DA03 , 4G146DA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

集積回路装置及び集積回路装置製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-135322 Applicant：富士通株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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