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J-GLOBAL ID：200903058208884259

SOI基板およびその製造方法

Inventor： 濱嶋 智宏 ,  新井 謙一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996176646
Publication number (International publication number)：1997153603
Application date： Jul. 05, 1996
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、フォトリソグラフィの際にSOI基板とフォトマスクの目合わせを行うときに、赤外線透過光を用いなくても、可視光による目合わせ装置の利用できる高精度な目合わせ方法と、それを実現するSOI基板構造およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1のシリコン基板と第2のシリコン基板を接合した後に、第2のシリコン基板の接合していない主表面を研削、研磨加工して形成されるSOI基板において、前記シリコン基板の一方は、表面に露出した目合わせ用パターンを有していることを特徴とするSOI基板。

Claim (excerpt)：

第1のシリコン基板と第2のシリコン基板を接合した後に、第2のシリコン基板の接合していない主表面を研削、研磨加工して形成されるSOI基板において、前記シリコン基板の一方は、表面に露出した目合わせ用パターンを有していることを特徴とするSOI基板。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02

FI (2)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体ウェーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-343055   Applicant：関西日本電気株式会社