Pat

J-GLOBAL ID：200903058216241707

チタン酸鉛ジルコニウム及びチタン酸バリウムストロンチウムをパターン化する方法

Inventor： イン チェンツァウ ,  ホワン ジェン エイチ ,  山内 英敬 ,  パーク シーヨール ,  川瀬 羊平
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 中村 稔 (外8名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001579339
Publication number (International publication number)：2003532289
Application date： Apr. 20, 2001
Publication date： Oct. 28, 2003
Summary：

【要約】本発明の一実施の形態によれば、PZT層またはBST層をパターン化する方法が提供される。例えば、PZT層またはBST層は、主エッチャントとして三塩化ホウ素(BCl3)または四塩化シリコン(SiCl4)からなるプラズマフィードガスを使用し、窒化チタン(TiN)マスクのような高温コンパチブルマスクを通してプラズマエッチングされる。BCl3またはSiCl4は、エッチャントプラズマ源ガスとして単独で使用することもできるが、典型的には本質的に不活性なガスと組合わせて使用する。好ましくは、本質的に不活性なガスは、アルゴンである。他の潜在的に使用可能な本質的に不活性なガスは、キセノン、クリプトン、及びヘリウムを含む。ある場合には、O2、またはN2、またはCl2、またはそれらの組合わせを主エッチャントに添加して、高温コンパチブルマスキング材料のような接触している材料に対するPZTまたはBSTのエッチング速度を増加させることができる。TiNマスキング材料は、その下に位置する酸化物を破損することなく容易に除去することができる。TiNに対するPZTまたはBSTの選択性は極めて良好であり、PZTフィルムのエッチング速度の、TiNマスクのエッチング速度に対する比は典型的には20:1よりも良好である。更に、BCl3含有プラズマ源ガスを使用した場合のPZTのエッチング速度は、典型的に2,000Å /分を越える。BCl3またはSiCl4から発生させたイオンを、エッチングする表面に向かって導くために基体バイアス電力を印加する。このバイアス電力は、PZT層と接触している1つまたは複数の導電性層がスパッタしないように制御し、それによってエッチングされるPZTの表面が導電性材料によって汚染されないようにする。さもないと、パターン化されたPZTを含む半導体デバイスが短絡する恐れがある。

Claim (excerpt)：

PZT層をプラズマエッチングする方法において、 (a)前記PZT層の上に位置する高温コンパチブルマスキング材料の層をパターン化するステップと、 (b)主化学エッチャント源がBCl3、SiCl4、またはそれらの組合わせであるプラズマフィードガスから生成させたプラズマを使用して前記パターン化されたマスキング層を通して前記PZT層をプラズマエッチングすることによって、前記パターン化されたマスキング層から前記PZT層の少なくとも一部分へパターンを転写するステップと、を含むことを特徴とする方法。

F-Term (9)：

5F004AA09 ,  5F004CA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA11 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB13 ,  5F004EA06 ,  5F004EB05