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J-GLOBAL ID：200903058219725357

シリコンウェーハおよびその表面平坦化方法

Inventor： 龍田 次郎 ,  近藤 英之 ,  小林 弘之 ,  高橋 功 ,  新行内 隆之
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993259291
Publication number (International publication number)：1995089795
Application date： Sep. 22, 1993
Publication date： Apr. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 (111)シリコンウェーハ表面の原子的平坦度を高め、電子の移動度の大きいシリコンウェーハを提供する。その表面平坦化方法を提供する。【構成】 表面が(111)面で構成されたシリコンウェーハについて、pH=5.3のバッファフッ酸で洗浄した後、95°Cの温純水での洗浄を行う。乾燥後、そのTDS測定を行う。この結果、TDS測定曲線における280°Cのピークによる面積Δ1は、その450°Cのピークによる面積Δ2の5%以下となる。このウェーハ表面の原子的平坦度が改善され、電子の移動度が向上する。

Claim (excerpt)：

表面が(111)面で構成されたシリコンウェーハについてのTDS測定曲線における280°Cのピークによる面積が450°Cのピークによる面積の5%以下であることを特徴とするシリコンウェーハ。

IPC (4)：

C30B 29/06 ,  C30B 33/08 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 341