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J-GLOBAL ID：200903058225303510

半導体レーザ素子および半導体受光素子

Inventor： 清水 均 ,  平山 祥之 ,  菅田 純雄
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992041878
Publication number (International publication number)：1993218591
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低発振しきい値電流密度を有する1.5μm帯のInGaAs/InAlAs系量子井戸半導体レーザ素子と、高感度でSN比が大きい1.5μm帯の半導体受光素子を提供する。【構成】 InP基板11上に、InAlAs障壁層とInGaAs量子井戸層からなる活性層14を形成した半導体レーザ素子において、InP基板11の面方位は(111)B面、または(111)B面が(100)方向または(110)方向に高々10°傾いた面方位とし、InP基板上に、キャリア増倍層、InGaAs光吸収層を順次形成した半導体受光素子において、InP基板の面方位は(111)B面、または(111)B面が(100)方向または(110)方向に高々10°傾いた面方位とする。

Claim (excerpt)：

InP基板上に、InAlAs障壁層とInGaAs量子井戸層からなる活性層を形成した半導体レーザ素子において、InP基板の面方位は(111)B面、または(111)B面が(100)方向または(110)方向に高々10°傾いた面方位であることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 31/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

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  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-339962   Applicant：ジヤパンゴアテツクス株式会社