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J-GLOBAL ID：200903058229824248

プラズマ処理装置

Inventor： 石井 信雄
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993284209
Publication number (International publication number)：1995122398
Application date： Oct. 20, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高周波誘導プラズマの密度を高い精度で制御することが可能な処理装置を提供する。【構成】 本発明によれば、高周波アンテナ6に中間端子6cを求めその前後を流れる電流値を可変制御することで、高周波アンテナ6の各部位に対応して処理容器2内に生成するプラズマの密度を高い精度で制御することが可能となる。

Claim (excerpt)：

処理室の外部に絶縁体を介して配置された高周波アンテナに高周波電力を印加することによりその処理室内に誘導プラズマを励起して、その処理室内に配置された被処理体に所定の処理を施すプラズマ処理装置であって、前記高周波アンテナの電位を可変制御するための制御手段を設けたことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (8)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065